天生赢家 一触即发-k8凯发导电膜特性/成本优于ito 适用软性电子以高阶注入的高能隙金属氧化物如氧化铟锡(ito)形成的透明导电膜在光电产业的应用非常成功,举凡平面显示器、太阳能电池和触控面板等都须使用。然而除须兼顾薄膜的透明度和电性外,软性电子元件所需的透明导电膜还须具备可绕曲特性,若仍选择容易因为弯曲而产生缺陷的金属氧化物薄膜时,元件的可绕曲次数和可弯曲程度便会受到限制,进而影响到可应用范围。除此之外,常用铟锡氧化物中的铟属于稀有金属,被大量使用之后,容易发生原料短缺、价格上涨的缺点,因此开发具备柔韧性的透明导电膜对软性电子元件技术发展很重要。
真空镀膜机厂具有导电性的高分子材料种类繁多,如聚乙炔(polyacetylene)、聚苯胺(polyaniline)、聚咇咯(polypyrrole)、聚吩(polythiophene)等,然而考虑到必须兼顾透明及高导电度的特性下,目前最成功的材料是polythiophene系列中的poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-pedot(产品型态多为溷和polystyrenesulfonicacid-pss的水溶液),材料业者如agfa和h.c.starck已可推出导电率接近1,000s/cm的产品,可用来制作具有光穿透率大于80%、表面电阻约200ω/sq和高度可绕曲性的导电基板。
近年来,广东真空镀膜机研究者开始注意到ito-金属-ito多层膜系统,其优点在于透光、导电和可绕曲等特性的增进,其中导电性和可绕曲性的增进原因较直观,皆来自于金属薄膜本身优异的特性。透光性的增加则来自这类介电-金属-介电多层膜构造对可见光反射的抑制效果,同时透过光学设计可改变穿透光的频谱,造成选择性透明的功能。
软性光电元件的发展,须使用可绕曲的透明导电膜才能完善,然而现今被大量使用的金属氧化物电极如ito,并不能满足这个需求。
天生赢家 一触即发-k8凯发透明导电膜技术及其在太阳能元件上的应用,这些技术包括导电高分子、氧化物-金属-氧化物多层膜技术、奈米银自组装及银奈米线等,都能形成透明又导电的薄膜或是网状结构,而且特性和制造成本优于ito,将来都有可能成功地被应用在可绕曲的光电元件上。