高速率
离子束辅助沉积及清洗
rf 离子源
为反应性工艺（例如高度控制的光学镀膜的离子束辅助沉积或离子束沉积）提供宽而均匀的离子束源。
在惰性和氧化环境中均能实现可靠一致的操作。
稳定高效的等离子体操作具有精确控制能力并允许高重复性。
非常适合于负载锁定生产工艺。
无极放电，寿命长，工作长时间稳定。
工作高度达1米。
离子能量及离子束流密度可以精确控制且变化范围大。
霍尔离子源
专为真空镀膜制程提供高射束电流，从而提高制程均匀性并防止基材受损，实现表面预清洁、辅助沉积及选择性蚀刻。
对需要高电流、低能量离子的应用非常有效。
高射束电流对于控制薄膜应力和化学计量特别有用。
离子能量发散，离子束发散，有较大均匀区。
离子能量低，离子束流密度较大。
结构简单，拆卸方便。
考夫曼离子源
离子能量，束密可精确控制，不受环境影响。
放气量小，污染较小。
工作温升低，可冷镀。
汇成自主研发离子源
高离子电流密度和均匀分布
照射面积能达到ф1150mm以上
动作安定性高，能长时间运转
寿命长，污染少
易于操作和维护
| 型号 | hc-rfⅰ |
| 尺寸 | φ300mm × 150mm (h) |
| 栅网尺寸 | ф 17cm(molybdenum制3枚) |
| 离子束电压 | 100v～1500v |
| 离子束电流 | 1000ma |
| acc电压 | 100v～1000v |
| rf功率 | 600w |
| 气体流量 |
20sccm～30sccm（氩气） 40sccm～60sccm（氧气） |
| 使用压力 | 5 × 10-2 pa |
| 水冷方式 | rf线圈和本体 |
| 型号 | hc-rfⅱ |
| 尺寸 | φ300mm × 150mm (h) |
| 栅网尺寸 | ф 17cm(molybdenum制3枚) |
| 离子束电压 | 100v～1500v |
| 离子束电流 | 1200ma |
| acc电压 | 100v～1000v |
| rf功率 | 750w/1000w |
| 气体流量 |
20sccm～30sccm（氩气） 40sccm～60sccm（氧气） |
| 使用压力 | 5 × 10-2 pa |
| 水冷方式 | rf线圈和本体 |
| 型号 | hc-rfⅲ |
| 尺寸 | φ 390mm × 215mm(h) |
| 栅网尺寸 | ф 23cm(molybdenum制3枚) |
| 离子束电压 | 100v～1500v |
| 离子束电流 | 1800ma/2400ma |
| acc电压 | 100v～1000v |
| rf功率 | 2000w |
| 气体流量 |
20sccm～40sccm（氩气） 40sccm～80sccm（氩气） |
| 使用压力 | 5 × 10-2 pa |
| 水冷方式 | rf线圈和本体 |
| 型号 | hc-rfⅳ |
| 尺寸 | φ 224mm ×143mm (h) |
| 栅网尺寸 | ф 10cm(molybdenum制3枚) |
| 离子束电压 | 100v～1500v |
| 离子束电流 | 500ma(max) |
| acc电压 | 100v～1000v |
| rf功率 | 600w(max) |
| 气体流量 |
25sccm～35sccm（氩气） 10sccm～20sccm（氩气） |
| 使用压力 | 5.0 ×10-2 pa |
| 水冷方式 | rf线圈和本体 |
电话：
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hcvac-pvd
